丰田:碳化硅长晶厚度70mm,良率超80%
近日,丰田中央研发实验室发布了题为《用于提升碳化硅晶体厚度的PVT长晶设备置改造》论文。该团队在文中表示,他们生长出了厚度约为70mm的6英寸SiC晶体,标称良率达到80.9%。
近日,丰田中央研发实验室发布了题为《用于提升碳化硅晶体厚度的PVT长晶设备置改造》论文。该团队在文中表示,他们生长出了厚度约为70mm的6英寸SiC晶体,标称良率达到80.9%。
日立集团旗下专注数据存储、基础架构与混合云管理的子公司 Hitachi Vantara 委托全球领先的独立研究咨询公司 Forrester 开展研究。结果表明,采用 Hitachi Vantara 旗下混合云数据平台 Virtual Storage Platf